| 主权项 |
1.一种显示装置,包含复数个图像元件,该等复数个 图像元件的显示状态系为一电子信号(其经由被连 接至一对应的扫描线与横越该扫描线之一对应的 信号线之一对应的切换元件加以提供于此)所控制 ,其中至少该扫描线与信号线之一系为一包括第一 与第二导电层之多层配线,而该多层配线包括一未 形成第二导电层之低堆叠区;且 其中该扫描线与信号线之至少一个(其系为一多层 配线)可包括位于其他线之一交叉点的两侧上之低 堆叠区。 2.如申请专利范围第1项之显示装置,其中该第一导 电层系由较第二导电层为小之特定阻値的材料加 以形成。 3.如申请专利范围第1项之显示装置,其中用于切断 该第一导电层之一最佳雷射能量带的宽度系较第 二导电层之一最佳雷射能量带的宽度为大。 4.如申请专利范围第1项之显示装置,其中复数个图 像元件包括一液晶层。 5.一用于修复一包括数个图像元素之显示装置内 之缺陷的方法,各图像元件的显示状态系为一电子 信号(其经由被连接至一对应的扫描线与横越该扫 描线之一对应的信号线之一对应的切换元件加以 提供于此)所控制,其中至少该扫描线与信号线之 一系为一包括第一与第二导电层之多层配线,而该 多层配线包括一未形成第二导电层之低堆叠区,该 方法包含藉由选择性地将雷射光辐射至低堆叠区 内所形成的第一导电层而切断第一导电层的步骤; 且 至少该扫描线与信号线(其系为一多层配线)之一 包括一位于与其他线交叉点的两侧上之低堆叠区 。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一导电层 系由较第二导电层为小之特定阻値的材料加以形 成。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中用于切断该第 一导电层之最佳雷射能量带的宽度较用于切断该 第二导电层之最佳雷射能量带的宽度为大。 8.如申请专利范围第5项之方法,其中该等复数个图 像元件包括一液晶层。 图式简单说明: 图1A系为一平面示图概略地显示了根据本发明之 一具体实例之一TFT液晶面板10; 图1B系为一平面示图概略地显示了围绕该TFT液晶 面板10中(图1A中之区域5的放大图)之一交叉点6的 一个区域5之构造; 图2系为一平面示图显示了用于修复为一短路交叉 点6所造成的显示缺陷之一信号线3之切断位置; 图3系为一图形概略地显示了切断一信号线所需之 一雷射能量带; 图4系为一图形概略地显示了一YAG雷射的能量特性 ; 图5系为一概要图形显示了于本发明之一具体实例 的缺陷修复法中所使用的一个雷射修复装置30; 图6系为一图形概略地显示了切断一个由一Ta层与 一n+Si层所形成之一两层配线所需之一雷射能量带 ; 图7A系为一上示图概要地显示了于根据本发明之 一TFT液晶显示面板中的另一个信号线33;图7B系为 一横剖面示图概要地显示了于根据本发明之一TFT 液晶显示面板中的另一个信号线33; 图8系为一图形概要地显示了为一扫描线与一信号 线之短路交叉所造成之一显示器切陷;以及 图9系为一图形概要地显示了于一习知的TFT液晶显 示面板中具有一两层构造之一信号线。 |
