发明名称 N阶补偿温度独立之参考电压的产生方法及装置
摘要 一参考电压产生器包含有复数个讯号产生器,用来产生N+1个分别对应N+1个不同之温度相依特性值的讯号;一耦接于该复数个讯号产生器的合成模组,用来合成该N+1个讯号以产生一合成讯号;以及一耦接于该合成模组的讯号至电压转换器,用来根据该合成讯号产生一补偿参考电压。每一讯号产生器包含有N+1个具有p-n接面的元件,每个元件都具有对应于p-n接面之跨压的一特定温度相依特性值(例如一电晶体的基极-射极电压)。藉由调整该N+1个讯号,可以产生具有N阶温度补偿且对应一预定值的参考电压。
申请公布号 TWI294218 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW094122407 申请日期 2005.07.01
申请人 瑞昱半导体股份有限公司 发明人 邱永明
分类号 H03K19/094(2006.01) 主分类号 H03K19/094(2006.01)
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路389号5楼
主权项 1.一种具有N阶温度补偿之参考电压产生器,其包含 有: 复数个讯号产生器,用来产生复数个讯号,该复数 个讯号分别对应复数个温度相依特性値; 一合成模组,耦接于该复数个讯号产生器,用来合 成该复数个讯号以产生一合成讯号;以及 一讯号至电压转换器,耦接于该合成模组,用来根 据该合成讯号产生一补偿参考电压; 其中该复数个讯号系为N+1个温度相依之讯号,且该 N値系至少为2。 2.如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器,其 中该合成模组系根据该复数个讯号而算术上合成 复数个电流,来合成该复数个讯号以产生该合成讯 号。 3.如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器,其 中该复数个讯号产生器系包含复数个具有p-n接面 之元件,而且每一元件都具有对应于一p-n接面之跨 压之一特定温度相依特性値。 4.如申请专利范围第3项所述之参考电压产生器,其 中该复数个元件均为电晶体,且该温度相依特性値 系为基极-射极电压。 5.如申请专利范围第1项所述之参考电压产生器,其 中每一讯号产生器皆包含: 一第一电流源,用来根据一控制讯号而提供一第一 电流; 一第二电流源,用来根据该控制讯号而提供一第二 电流,该第二电流与该第一电流实质上相同; 一电阻,其具有耦接于该第一电流源之一第一节点 ,该电阻系用来将该第一电流耦接至一参考节点; 一电晶体,其具有耦接于该第二电流源之一射极以 及耦接于一供应节点之一基极与一集极;以及 一控制讯号产生器,用来产生该控制讯号以控制该 电阻之该第一节点之电压与该电晶体之该射极之 电压实质上相等; 其中该讯号产生器所输出之讯号系为该控制讯号 。 6.如申请专利范围第5项所述之参考电压产生器,其 中该控制讯号产生器系为一运算放大器,该运算放 大器具有一反相输入端,耦接至该电阻之该第一节 点,以及一非反相输入端,耦接至该电晶体之该射 极,且该运算放大器之输出系为该控制讯号。 7.如申请专利范围第5项所述之参考电压产生器,其 中该合成模组系包含有复数个第三电流镜,用来根 据该复数个讯号产生器所输出之该复数个讯号来 产生复数个第三电流,该复数个第三电流系经由电 性加减(electrically add or subtract)以产生该合成讯号; 以及 该讯号至电压转换器系包含有一输出电阻,该输出 电阻系耦接至该供应节点,且该补偿参考电压系为 该输出电阻上之跨压。 8.一种产生具有N阶温度补偿之参考电压之方法,其 包含有: 产生复数个讯号,其分别对应于复数个温度相依特 性値; 合成该复数个讯号以产生一合成讯号;以及 根据该合成讯号来产生一补偿参考电压; 其中该复数个讯号系为温度相依之N+1个讯号,且该 N値系至少为2。 9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中合成该复 数个讯号以生成该合成讯号之步骤另包含有:根据 该复数个讯号而算术上合成复数个电流。 10.如申请专利范围第8项所述之方法,其另包含有 提供复数个具有p-n接面之元件,其中每一温度相依 特性値系为一p-n接面之跨压。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该复数 个元件均为电晶体,且该温度相依特性値系为基极 -射极电压。 12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中产生复 数个讯号之步骤另包含有提供复数个讯号产生器, 每一讯号产生器包含有: 一第一电流源,用来根据一控制讯号而提供一第一 电流; 一第二电流源,用来根据该控制讯号而提供一第二 电流,且该第二电流与该第一电流系实质上相同; 一电阻,其具有耦接于该第一电流源之一第一节点 ,该电阻系用来将该第一电流耦接至一参考节点; 以及 一电晶体,其具有耦接于该第二电流源之一射极以 及耦接于一供应节点之一基极与一集极;以及 对每一讯号产生器而言,该方法另包含有产生该控 制讯号以使该电阻之该第一节点之电压与该电晶 体之该射极之电压实质上相等; 其中该N+1个讯号分别为对应于该复数个讯号产生 器之复数个控制讯号。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中对每一 讯号产生器而言,产生该控制讯号之步骤系包含有 :提供一运算放大器,该运算放大器具有一反相输 入端,耦接至该电阻之该第一节点,以及一非反相 输入端,耦接至该电晶体之该射极,且该运算放大 器之输出系为该控制讯号。 14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中合成该 复数个讯号之步骤包含有: 提供复数个第三电流镜,用来根据该复数个讯号产 生复数个第三电流,以及电性加减(electrically add or subtract)该复数个第三电流以产生该合成讯号;以及 产生该补偿参考电压之步骤包含有: 提供一输出电阻,用来将该合成讯号耦接至该供应 节点,而该补偿参考电压即为该输出电阻上之跨压 。 图式简单说明: 第1图为典型能带隙参考电压电路的电路图。 第2图为依据本发明一实施例之二阶补偿参考电压 产生器的方块图。 第3图为依据本发明之第一实施例之二阶补偿参考 电压产生器的电路图。 第4图为依据本发明之第二实施例之二阶补偿参考 电压产生器的电路图。 第5图为依据本发明一实施例之产生一N阶温度补 偿参考电压之方法的流程图。
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