| 摘要 |
本发明系一种氮化物半导体发光元件，其中，提供从与以往技术完全不同之视点，经由简单的手段，使从p型氮化物半导体层对于活性层之载体注入效率提升之氮化物半导体发光元件，其中，于蓝宝石基板1上，层积有缓冲层2，未掺杂GaN层3，n型GaN接触层4，InGaN／GaN超晶格层5，活性层6，未掺杂GaN系层7，p型GaN系接触层8，并于p型GaN系接触层8上，台面蚀刻p电极9，于露出有n型GaN接触层4的面，形成有n型电极10，而由将形成于最接近于具有量子井构造之活性层p侧的井层，与p型GaN系接触层8之间的中间半导体层之合计膜厚，作为20nm以下之情况，可提升对于活性层6之载体注入效率者。 |
