P型三族氮化物发光装置

摘要

一种半导体结构包括一发光区域、一置于该发光区域之一第一侧上的p型区域及一置于该发光区域之一第二侧上的n型区域。该半导体结构之在该发光区域之该第一侧上的一厚度中之至少10％包含铟。可藉由生长一n型区域、生长一p型区域且生长一安置于该n型区域与该p型区域之间的发光层来形成该半导体发光装置的一些实例。该n型区域之一部分之生长温度与该p型区域之一部分之生长温度之间的温度差为至少140℃。