| 主权项 |
1.一种导光板,包括 一入射面; 一出射面;及 一反射面,该反射面形成有若干朝该导光板外部凸 出之V型微结构,其改良在于相邻靠近入射面之V型 微结构之底角位置之间之距离相等,且该V型微结 构之分布函数如下:y=9.263710-6x2-0.0003x+0.0232,其中,x 系该V型微结构靠近入射面之底角位置与入射面之 间之距离,y系V型微结构宽度値,其单位为微米。 2.如申请专利范围第1项所述之导光板,其中,所述 之V型微结构之顶角为40~95度,其与反射面所在平面 所形成之第一及第二底角分别为70~90度及15~50度。 3.如申请专利范围第2项所述之导光板,其中,所述 之V型微结构之顶角为62度,其与反射面所在平面所 形成之第一及第二底角分别为82度及36度。 4.如申请专利范围第1项所述之导光板,其中,所述 之V型微结构之宽度范围为10~300微米。 5.如申请专利范围第1项所述之导光板,其中,所述 之出射面设有与该反射面V型微结构方向正交之周 期排列之第二V型微结构,其沿背离该反射面之方 向向导光板之外部凸起。 6.如申请专利范围第5项所述之导光板,其中,所述 之第二V型微结构为高度大小一致之等腰长条形状 ,其顶角取値范围为50-150度,高度不超过500微米。 7.如申请专利范围第1项所述之导光板,其中,所述 之入射面设有纵向周期排列之第三V型微结构。 8.如申请专利范围第7项所述之导光板,其中,所述 之第三V型微结构包括密接周期分布或间断周期分 布之V型微结构。 9.如申请专利范围第7项所述之导光板,其中,所述 之第三V型微结构为高度大小一致之等腰长条形状 ,其顶角取値范围为50-150度,高度不超过500微米。 10.如申请专利范围第1项所述之导光板,其中,所述 之导光板之反射面镀有增反膜。 11.如申请专利范围第10项所述之导光板,其中,所述 之增反膜为金属膜或非金属膜。 12.如申请专利范围第11项所述之导光板,其中,所述 之金属膜为铝膜或银膜。 13.如申请专利范围第1项所述之导光板,其中,所述 之导光板为聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯,或者亚 克力合成树脂材料构成。 14.如申请专利范围第1项所述之导光板,其中,所述 之导光板包括平板型及楔型。 15.一种背光模组,包括 一侧面线光源;及 一导光板,其包括一入射面、一出射面及一反射面 ,其中,该反射面形成有若干朝该导光板外部凸出 之V型微结构; 其改良在于相邻靠近入射面之V型微结构之底角位 置之间之距离相等,且该V型微结构之分布函数如 下:y=9.263710-6x2-0.0003 x+0.0232,其中,x系该V型微结构 靠近入射面之底角位置与入射面之间之距离,y系V 型微结构宽度値,其单位为微米。 16.如申请专利范围第15项所述之背光模组,其中,所 述之侧面线光源为冷阴极灯管。 17.如申请专利范围第15项所述之背光模组,其中,所 述之背光模组进一步包括一反射罩,用于反射侧面 线光源发出之光线。 图式简单说明: 第一图系先前技术多灯管并列直下式结构之背光 模组示意图。 第二图系传统之侧面照明背光模组之结构示意图 。 第三图系美国专利第5,555,329号之背光模组示意图 。 第四图系美国专利第5,779,337号之导光板结构示意 图。 第五图系美国专利第5,237,641号之背光模组示意图 。 第六图系本发明第一实施例导光板结构示意图。 第七图系第六图局部VII之放大示意图。 第八图系本发明第二实施例导光板结构示意图。 第九图系本发明第三实施例导光板结构示意图。 第十图系本发明导光板之入射面V型微结构种类之 示意图。 第十一图系本发明第一实施例导光板之出射光束 角度分布图。 第十二图系本发明第二实施例导光板之出射光束 角度分布图。 第十三图系本发明第三实施例导光板之出射光束 角度分布图。 第十四图系本发明导光板之反射面V型微结构大小 沿Y轴方向之变化规律曲线图。 |
