| 主权项 |
1.一种面光源入光装置,至少包含: 一导光板; 复数个第一发光二极体系以一预设图案排列而贴 近设于该导光板,其中该预设图案系选自于由至少 一行列以及一矩阵所组成之一族群,藉使该些第一 发光二极体发射出之光线经过该导光板射出以提 供该面光源;以及 至少一第二发光二极体设于该些第一发光二极体 之每二者之间,其中该第二发光二极体之尺寸系小 于该些第一发光二极体,藉以消除该些第一发光二 极体之该每二者之间的一暗带。 2.如申请专利范围第1项所述之面光源入光装置,其 中该些第一发光二极体系设于该导光板至少一侧 。 3.如申请专利范围第1项所述之面光源入光装置,其 中该些第一发光二极体系以该预设图案排列而设 于该导光板之下方。 4.如申请专利范围第1项所述之面光源入光装置,其 中该些第一发光二极体之光输出功率系大于该至 少一第二发光二极体。 5.如申请专利范围第1项所述之面光源入光装置,其 中该些第一发光二极体之操作电流为至少100毫安 培。 6.一种面光源入光装置,至少包含: 一导光板; 复数个第一发光二极体系以一预设图案排列而贴 近设于该导光板,其中该预设图案系选自于由至少 一行列以及一矩阵所组成之一族群,藉使该些第一 发光二极体发射出之光线经过该导光板射出以提 供该面光源;以及 至少一第二发光二极体设于该些第一发光二极体 之每二者之间,其中该第二发光二极体之光输出功 率系小于该些第一发光二极体,藉以消除该些第一 发光二极体之该每二者之间的一暗带。 7.如申请专利范围第6项所述之面光源入光装置,其 中该些第一发光二极体系设于该导光板至少一侧 。 8.如申请专利范围第6项所述之面光源入光装置,其 中该些第一发光二极体系以该预设图案排列而设 于该导光板之下方。 9.如申请专利范围第6项所述之面光源入光装置,其 中该至少一第二发光二极体之尺寸系小于该些第 一发光二极体。 10.如申请专利范围第6项所述之面光源入光装置, 其中该些第二发光二极体之操作电流为不超过300 毫安培。 图式简单说明: 第1图系绘示习知面光源入光装置的剖面图; 第2图系绘示另一习知面光源入光装置的剖面图; 以及 第3图系绘示根据本发明一较佳实施例之面光源入 光装置的剖面图。 |
