发明名称 研磨方法及半导体装置之制造方法
摘要 本发明系关于一种研磨方法,其包括:使一配置在一旋转台上之研磨垫与该旋转台一起旋转;及在自一相对于该研磨垫之一表面倾斜的方向将一化学流体供应给在一基板之一操作侧上的该研磨垫之该表面的同时藉由使用该旋转之研磨垫研磨该基板之一表面。
申请公布号 TW200811939 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW096117514 申请日期 2007.05.17
申请人 东芝股份有限公司 发明人 福岛大;南幅学;矢野博之
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本