| 摘要 |
本发明提供对于短波长范围之信号光也能具有高量子效率的半导体受光元件、具有该半导体受光元件之光电变换电路及此等半导体受光元件与光电变换电路之制造方法。本发明之半导体受光元件包含有半导体基板、设置于半导体基板上并与半导体基板品格匹配，且含有第1导电型杂质并具有第1频带隙能量的第1半导体层、设置于第1半导体层上并具有第1频带隙能量，且含有比第1半导体层低浓度之第1导电型杂质或实质上不掺杂的第2半导体层、设置于第2半导体层上的第3半导体层、及，设置于第3半导体层上并具有比第1频带隙能量大的第2频带隙能量，且层厚为5nm以上50nm以下而构成光入射侧的第4半导体层。 |
