发明名称 记忆体及其制造方法
摘要 一种记忆体,包括一基板、多条位元线、多条字元线及至少一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构。此些位元线系相互平行地设置于基板中。此些字元线系相互平行地设置于基板上,并与此些位元线不垂直交错。氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构系设置于字元线及基板之间。
申请公布号 TW200812093 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW095131805 申请日期 2006.08.29
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 刘建宏;黄守伟;陈盈佐;林佑聪
分类号 H01L29/792(2006.01);H01L21/8247(2006.01) 主分类号 H01L29/792(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号