发明名称 | 记忆体及其制造方法 | ||
摘要 | 一种记忆体,包括一基板、多条位元线、多条字元线及至少一氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构。此些位元线系相互平行地设置于基板中。此些字元线系相互平行地设置于基板上,并与此些位元线不垂直交错。氧化物/氮化物/氧化物堆叠结构系设置于字元线及基板之间。 | ||
申请公布号 | TW200812093 | 申请公布日期 | 2008.03.01 |
申请号 | TW095131805 | 申请日期 | 2006.08.29 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘建宏;黄守伟;陈盈佐;林佑聪 |
分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |