| 摘要 |
本发明提供一种氧化锌系透明导电体，其特征为：以氧化锌(ZnO)为主成分，含有对氧化锌为n型掺质之元素，且含有金属M，该金属M之表示对氧化锌浸润性之参数P(P=(△G0+△Hx(M))／RT，△G0：金属M与氧化锌氧化还原反应之标准自由能变化量，△Hx(M)：构成氧化锌之金属元素锌对于金属M之溶解热，R：气体常数，T：温度)之值在6以下，且具有之电阻率比添加了n型掺质之氧化锌更小；相对于构成氧化锌系透明导电体之全部金属原子之锌、n型掺质与金属M原子数合计，金属M浓度为0.05～2.0原子％。本发明之目的系针对不具有昂贵且有资源枯竭顾虑之铟原料之透明导电体开发上，超越所谓单一掺质法之既往开发方法的界限，揭示对低电阻率化有效的第2添加材料之选择方针以及具体的材料种类与适当浓度范围，而提供一种低电阻率之透明导电体。 |
