| 发明名称 |
相变化记忆装置及其制造方法 |
| 摘要 |
一种相变化记忆装置，包括：一导电构件，设置于一介电层中；一相变化材料层，设置于介电层中；以及一导电层，延伸于介电层中，以分别电性连结相变化材料层与导电构件之一侧壁。 |
| 申请公布号 |
TW200812068 |
申请公布日期 |
2008.03.01 |
| 申请号 |
TW095130066 |
申请日期 |
2006.08.16 |
| 申请人 |
财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司 POWERCHIP SEMICONDUCTOR CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号;南亚科技股份有限公司 NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号;茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC. 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼;华邦电子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |
发明人 |
李亨元;赵得胜 |
| 分类号 |
H01L27/10(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L47/00(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
