发明名称 |
双重线路的积体电路晶片 |
摘要 |
具有线路层在相反侧上之一半导体元件,以及制造具有至元件之接触及在相反侧之线路层的一半导体结构之一方法。此方法包含了制造在一绝缘体上矽基板上之元件,其具有至元件之第一接触以及至第一接触的在一第一侧上之线路层,移除一下方矽层以暴露埋藏氧化物层,形成经由埋藏氧化物层至元件之第二接触,以及在埋藏氧化物上方形成至第二接触之线路层。 |
申请公布号 |
TW200811997 |
申请公布日期 |
2008.03.01 |
申请号 |
TW096116076 |
申请日期 |
2007.05.07 |
申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
凯莉 伯恩斯坦;堤摩西 乔瑟芬 达顿;杰弗瑞 彼得 甘比诺;马克 大卫 杰夫;保罗 大卫 卡斯克;安东尼 坎朶 史坦普 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L27/12(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
主权项 |
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地址 |
美国 |