记忆体结构之制备方法

摘要

一种记忆体结构之制备方法首先形成复数个条状区块于一基板之介电结构上，再形成一局部曝露该条状区块之侧壁的第一蚀刻遮罩。其次，利用该第一蚀刻遮罩局部去除该条状区块以缩减其宽度而形成一第二蚀刻遮罩，其包含复数个以错开方式排列之第一区块及第二区块。之后，局部去除未被该第二蚀刻遮罩覆盖之介电结构以形成复数个开口于该介电结构中，再形成一导电插塞于该开口中。该复数个开口包含复数个设置于该第一区块间之第一开口以及复数个设置于该第二区块间之第二开口，且该第一开口与该第二开口分别凸出一主动区域之相反两侧。