填充介电基质之凹槽结构之方法

摘要

本发明揭示一种填充用于半导体装置之介电基质之凹槽结构的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供一介电基质，其一表面中具有一凹槽结构，其中跨越该结构上之最小尺寸(宽度)小于≦200 nm，一导电层存在于该表面之至少一部分上，(b)用一导电材料填充该凹槽结构，及(c)在用该导电材料填充该凹槽结构之前，用一加速剂处理该表面。