清洁组成物、清洁方法以及半导体装置之制造方法

摘要

本发明关于一种清洁组成物，该组成物可使具有金属布线及低介电常数薄膜之化学机械抛光半导体基材表面去污，且可高度地移除杂质如残留之研磨颗粒、残留之抛光废料、及金属布线及低介电常数薄膜上之金属离子，而不损及金属布线、不使低介电常数薄膜之电特性劣化且对低介电常数薄膜不造成机械损伤。本发明又关于一种使用该清洁组成物清洁半导体基材之方法，及包含进行该清洁方法之步骤的半导体基材之制造方法。该清洁组成物系用于化学机械抛光表面，且包含具有交联结构且平均分散粒径为10nm或以上且小于100nm之有机聚合物颗粒(A)及错合剂(B)。