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1.一种碳膜被覆材料,乃属于在由非晶质碳形成的 基块中,含有金属及/或金属碳化物的被膜,形成在 基材表面的至少一部分的碳膜被覆材料,其特征为 :相对于构成上述被膜的金属(M)的碳(C)的原子比(M/ C)为0.01-0.7的范围。 2.如申请专利范围第1项所述的碳膜被覆材料,其中 ,含于前述基块中的金属及/或金属碳化物是从钼 、钨、钽、铌、矽、硼、钛、铬以及由该些元素 的碳化物选出至少一种所制成的。 3.如申请专利范围第1项所述的碳膜被覆材料,其中 ,含有前述金属及/或金属碳化物的被膜厚度为30 m以下。 4.如申请专利范围第1项所述的碳膜被覆材料,其中 ,在前述被膜和基材之间,形成由金属、氮化物、 碳化物或硼化物所制成的单层或复数层的中间层 。 5.如申请专利范围第1项所述的碳膜被覆材料,其中 ,前述碳膜被覆材料是使用于晶圆处理装置或玻璃 基板处理装置,构成受到电浆、离子束或电子浴照 射的半导体制造装置用材料。 6.如申请专利范围第5项所述的碳膜被覆材料,其中 ,前述晶圆处理装置为蚀刻装置、溅镀装置、CVD装 置或离子植入装置。 7.如申请专利范围第1项所述的碳膜被覆材料,其中 ,前述碳膜被覆材料乃为半导体制造装置用材料, 构成与半导体材料或装置构成材料接触而滑动的 滑动部。 8.如申请专利范围第7项所述的碳膜被覆材料,其中 ,相对于前述被膜内的金属(M)的碳(C)的原子比(M/C) 乃为0.1-0.5的范围。 9.如申请专利范围第1项所述的碳膜被覆材料,其中 ,前述碳膜被覆材料是种在晶圆基材表面形成被膜 的虚拟晶圆,相对于前述被膜内的金属(M)的碳(C)的 原子比(M/C)乃为0.05-0.2的范围。 10.如申请专利范围第9项所述的碳膜被覆材料,其 中,前述晶圆基材是由矽、玻璃、陶瓷之任一种所 构成。 11.如申请专利范围第9项所述的碳膜被覆材料,其 中,前述虚拟晶圆是作为经由溅镀、CVD、蚀刻、离 子植入或化学机械抛光加工的成膜操作方面的虚 拟晶圆使用。 12.如申请专利范围第9项所述的碳膜被覆材料,其 中,前述被膜是被覆在前述晶圆基材的至少一部分 。 13.如申请专利范围第1项所述的碳膜被覆材料,其 中,前述碳膜被覆材料是种在基材表面形成被膜的 探针,相对于前述被膜的金属(M)的碳(C)的原子比(M/ C)为0.2-0.7的范围。 图式简单说明: 第1图是模式表示将有关本发明的碳膜被覆材料适 用于半导体制造装置用材料时的一实施例的层构 造的部分断面图。 第2图是将有关本发明的碳膜被覆材料适用于半导 体制造装置的晶圆匣的一实施例的立体图。 第3图是模式表示将有关本发明的碳膜被覆材料适 用于虚拟晶圆的一实施例的层构造的部分断面图 。 第4图是表示探针的构成图,(a)是表示习知例,(b)是 将有关本发明的碳膜被覆材料适用于探针的一实 施例的部分断面图。 第5图是表示将有关本发明的碳膜被覆材料适用于 插槽用连接器的一实施例的立体图。 |
