发明名称 耐折性佳之配线基板及半导体装置
摘要 本发明之解决手段为一种耐折性佳之配线基板,系于本发明之绝缘膜片的表面上形成有包含铜之配线图案,并以使端子部分显露出之方式地形成有绝缘性树脂被覆层而成之耐折性佳之配线基板,该配线基板系具有下列(A)、(B)、(C)及(D)内的任一项构成。(A)以EBSP所测定之铜平均结晶粒子径为0.65至0.85μm,粒子径未满1.0μm的铜结晶粒子之容积比例为1%以下,且于引线的长边方向中配向为[100]之铜结晶粒子,乃含有10至20容积%的量;(B)上述绝缘膜片系由抗张力为450至600MPa、杨式模数为8500至9500MPa之聚醯亚胺膜片所形成;(C)上述绝缘膜片为厚度10至30μm之聚醯亚胺膜片;(D)绝缘性树脂被覆层系具有对绝缘膜片的厚度为50至150%的厚度。本发明的效果为,根据本发明,系提供一种耐折性佳之配线基板。
申请公布号 TW200812039 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW096124418 申请日期 2007.07.05
申请人 三井金属业股份有限公司 发明人 山县诚;栗原宏明;安井直哉;岩田纪明
分类号 H01L23/492(2006.01) 主分类号 H01L23/492(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本