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发明名称
半导体装置,制造半导体装置之方法及具有半导体装置之电子器具
摘要
为了要连接包含积体电路之半导体装置于由天线所代表的外部电路,设计出即将形成于该半导体装置中之接触电极的形状,使得不易造成该外部电路与该接触电极间的劣质连接,并提供具有高度可靠的接触电极。该接触电极系由使用具有去角转角或具楔形形状之橡胶滚轴的网版印刷法所形成,该接触电极具有周边部分及中心部分,该周边部分具有其膜厚度自中心部分朝向末端部分逐渐减少的斜面部分,以及该中心部分具有连续自该斜面部分的凸出部分。
申请公布号
TW200811930
申请公布日期
2008.03.01
申请号
TW096114653
申请日期
2007.04.25
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
山田大干;青木智幸
分类号
H01L21/28(2006.01)
主分类号
H01L21/28(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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