| 摘要 |
L'invention concerne une cellule mémoire susceptible de mémoriser une information sous la forme d'un premier niveau logique et d'un deuxième niveau logique complémentaires l'un de l'autre, comprenant un premier moyen de stockage (MS1) et un deuxième moyen de stockage (MS2) aptes chacun à mémoriser le premier niveau logique et le deuxième niveau logique.Selon l'invention, la cellule mémoire comprend également un moyen de liaison pour, en dehors d'un accès à la cellule mémoire, isoler électriquement une entrée (E1) du premier moyen de stockage à une sortie (S2) du deuxième moyen de stockage, et / ou une entrée (E2) du deuxième moyen de stockage à une sortie (S1) du premier moyen de stockage.Application à la réalisation de mémoires de type SRAM.
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