PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF COMPORTANT UNE STRUCTURE DOTEE D'UN OU PLUSIEURS MICRO-FILS OU NANO-FILS A BASE D'UN COMPOSE DE SI ET DE GE, PAR CONDENSATION GERMANIUM.

摘要

L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comportant un ou plusieurs fils semi-conducteurs à base de Si1-zGez (avec 0 < z <= 1), comprenant les étapes de :a) oxydation thermique d'au moins une première zone semi-conductrice à base de Si1-xGex (avec 0 < x < 1) reposant sur un support, de manière à former à la place au moins une deuxième zone semi-conductrice à base de Si1-yGey (avec 0 < y < 1 ET X < Y),b) oxydation thermique latérale des flancs de la deuxième zone semi-conductrice à base de Si1-yGey de manière à réduire la deuxième zone dans au moins une direction parallèle au plan principal du support et à former à la place au moins un fil semi-conducteur à base de Si1-zGez (avec 0 < y < 1 ET Y < Z).