| 发明名称 | 于深沟槽中形成浅沟槽隔离结构的方法及该方法的应用 | ||
| 摘要 | 一种于深沟槽中形成浅沟槽隔离结构的方法及该方法的应用，其中，该深沟槽位于基底内且含有上电极及在该上电极上方的第一绝缘层，且该基底表面具有垫绝缘层，该方法包含：形成硬掩膜层于该第一绝缘层上；掺杂该硬掩膜层的第一部分；去除该硬掩膜层的未经掺杂部分而暴露出部分该第一绝缘层，且保留该第一部分；去除该经暴露的第一绝缘层部分而暴露出部分该上电极；以及形成导电层于该经暴露的上电极上方，该导电层的上缘距该垫绝缘层表面预定深度。 | ||
| 申请公布号 | CN101131962A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200610111804.4 | 申请日期 | 2006.08.23 |
| 申请人 | 茂德科技股份有限公司 | 发明人 | 郭文硕;钟朝喜;李永尧;李惠民 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛平 |
| 主权项 | 1.一种于深沟槽中形成浅沟槽隔离结构的方法，该深沟槽位于基底内且含有上电极及在该上部电极上方的第一绝缘层，且该基底表面具有垫绝缘层，其特征是该方法包含：形成硬掩膜层于该第一绝缘层上；掺杂该硬掩膜层的第一部分；去除该硬掩膜层的未经掺杂部分而暴露出部分该第一绝缘层，且保留该第一部分；去除该经暴露的第一绝缘层部分，以暴露出部分该上电极；以及形成导电层于该经暴露的上电极上方，该导电层的上缘距该垫绝缘层表面预定深度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市科学工业园区力行路十九号三楼 | ||