| 发明名称 | 用于光电子学的半导体芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种发射辐射的半导体芯片，其具有薄膜层。在薄膜层中形成一个发射光子的有源区，该薄膜层在背对半导体芯片的发射方向的一侧上设有至少一个孔洞，通过孔洞形成了多个台面。该薄膜层设有外延式层序列，并且不设生长衬底。本发明还提供了一种用于同时制造多个用于光电子学的并设有有源薄膜层的半导体芯片的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101132047A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200710152935.1 | 申请日期 | 2001.08.08 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | S·伊莱克;A·普勒斯尔;K·施特罗伊贝尔;W·维格莱特;R·维尔斯 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘华联 |
| 主权项 | 1.一种发射辐射的半导体芯片，其具有薄膜层，其中，在该薄膜层中形成一个发射光子的有源区，所述薄膜层在背对半导体芯片的发射方向的一侧上设有至少一个孔洞，通过所述孔洞形成了多个台面，和所述薄膜层设有外延式层序列，并且不设生长衬底。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||