等离子平板显示器驱动芯片结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构及制备方法，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管，在P型衬底与N型外延层之间设有N型重掺杂埋层且高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管位于N型重掺杂埋层的上方，本发明结构及制备方法，基于外延材料，材料成本上与SOI相比具有较大优势，并且国内外延技术比较成熟。

主权项

1.一种等离子平板显示器驱动芯片结构，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型外延层(8)，在N型外延层(8)上设有高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)、高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)及低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)，其特征在于在P型衬底(1)与N型外延层(8)之间设有N型重掺杂埋层(5)且高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)、高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)及低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)位于N型重掺杂埋层(5)的上方，在高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)与高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)之间设有第一沟槽(61)，在高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)与低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)之间设有第二沟槽(62)，在第一沟槽(61)及第二沟槽(62)内填充有二氧化硅(6A)，所述的第一沟槽(61)及第二沟槽(62)始自P型衬底(1)、穿过延伸N型重掺杂埋层(5)、进入N型外延层(8)并止于上述半导体管的氧化层(7)。