| 发明名称 | 异质结半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有异质结双极型晶体管、尤其是npn晶体管的半导体器件，该晶体管包括分别具有第一、第二和第三连接导体(4，5，6)的发射极区(1)、基区(2)和集电极区(3)，而例如由于使用硅-锗合金代替纯硅，因此基区(2)的带隙低于集电极区(3)或者发射极区(1)的带隙。这种器件非常快，但其晶体管表现出相对低的BV<SUB>ceo</SUB>。在根据本发明的器件中，发射极区(1)或者基区(2)包括具有减小了掺杂浓度的子区(1B，2B)，该子区(1B，2B)配置有与子区(1B，2B)一起形成肖特基结的另外的连接导体(4B，5B)。这种器件导致晶体管具有特别高的截止频率fT，但是BV<SUB>ceo</SUB>没有或者几乎没有减小。在优选实施例中，如可应用的，发射极区(1)和其子区(IB)、或者基区(2)和其子区(2B)都与半导体本体(10)的表面接壤，另外的连接导体(4B，5B)形成第一或者第二连接导体(4，5)的一部分。本发明还包括制造根据本发明的器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100372125C | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN02823092.2 | 申请日期 | 2002.11.21 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | R·J·E·休廷;J·W·斯洛特布鲁;L·C·M·范登奥维 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/47(2006.01) | 主分类号 | H01L29/737(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1.一种包括具有衬底(11)和硅半导体层结构的硅半导体本体(10)的半导体器件，该结构包括双极型晶体管，该双极型晶体管包括分别具有第一、第二和第三掺杂浓度并且分别具有第一、第二和第三连接导体(4，5，6)的第一导电类型的发射极区(1)、与第一导电类型相反的第二导电类型的基区(2)和第一导电类型的集电极区(3)，其中基区(2)的锗含量位于10和30at％之间，基区(2)包括其带隙低于集电极区(3)或发射区(1)材料带隙的半导体材料，其特征在于，发射极区(1)或者基区(2)包括子区(1B，2B)，该子区(1B，2B)具有相对于发射极区(1)或者基区(2)的其他部分较低的掺杂浓度，子区(1B，2B)具有与子区(1B，2B)一起形成肖特基结的另外的连接导体(4B，5B)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||