利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法

摘要

本发明提供一种利用双镶嵌(dual damascene)工艺来形成T型多晶硅栅极的方法，它是在一半导体基底上形成一氧化层、一氮化层，及一图案化第一光刻胶层，以图案化第一光刻胶层为掩膜，对氮化层与氧化层进行刻蚀，来形成一第一沟槽，对图案化第一光刻胶层进行回刻，以形成一图案化第二光刻胶层，然后以图案化第二光刻胶层为掩膜，对氮化物层进行刻蚀，形成一第二沟槽，然后去除图案化第二光刻胶层，在从第一沟槽暴露出的半导体基底表面形成一栅极氧化层，在第一、第二沟槽内沉积一多晶硅层，去除剩余的氮化物层，得到一T形轮廓的多晶硅栅极。

主权项

1.一种利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，其内部已形成隔离区域；在所述半导体基底上依序形成一氧化层，一氮化物层，及一图案化第一光刻胶层；在形成所述氧化层前，先在所述半导体基底上形成一防止对所述氮化物层刻蚀，可能对所述半导体基底造成损伤的刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层的厚度略小于所述氮化物层；以所述图案化第一光刻胶层为掩膜，对所述氮化物层与所述氧化层进行刻蚀，直至暴露出所述刻蚀阻挡层为止，以形成一第一沟槽；对所述图案化第一光刻胶层进行一回刻蚀，以形成一图案化第二光刻胶层；以所述图案化第二光刻胶层为掩膜，对所述氮化物层进行刻蚀，使所述氮化物层形成一第二沟槽，然后去除所述图案化第二光刻胶层；对所述半导体基底进行一氧化工艺，使从所述第一沟槽暴露出的所述半导体基底表面形成一栅极氧化层；在所述半导体基底上沉积一多晶硅层，并填满所述第一、第二沟槽，而后对所述多晶硅层进行一平整化工艺；以及去除剩余的所述氮化物层，然后以所述多晶硅层为掩膜去除暴露出的所述氧化层，以得到一T型轮廓的多晶硅栅极。