发明名称 |
导电元件基板、液晶显示装置及其制造方法、电子信息设备 |
摘要 |
一种在基板上多个像素布置成矩阵状、具有每个像素设了反射电极的主动矩阵基板的液晶显示装置的制造方法,包括:依次在基板上形成金属导电膜和非晶质透明导电膜而形成叠层导电膜的叠层导电膜形成工序,和将该叠层导电膜图案化,形成反射电极的反射电极形成工序。该反射电极形成工序,包括:同时蚀刻金属导电膜和非晶质透明导电膜的第一蚀刻工序和仅蚀刻非晶质透明导电膜的第二蚀刻工序。提供一种在图案化依次叠层第一金属导电膜、蚀刻速度比该第一金属导电膜慢的第二金属导电膜的叠层导电膜而形成反射电极之际,能够抑制由于第二金属导电膜的端部剥落而造成产品合格率下降的液晶显示装置的制造方法。 |
申请公布号 |
CN100371795C |
申请公布日期 |
2008.02.27 |
申请号 |
CN200510051932.X |
申请日期 |
2005.02.18 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
石塚一洋;藤川隆;坂井健彦 |
分类号 |
G02F1/1335(2006.01);G02F1/1343(2006.01);C23F1/00(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1335(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
刘立平 |
主权项 |
1.一种导电元件基板的制造方法,包括:在基板上依次形成由一层或者二层以上的金属层构成的第一金属导电膜、和由于同一蚀刻液的作用而使蚀刻速度比该第一金属导电膜慢的第二金属导电膜而形成叠层导电膜的叠层导电膜形成工序,和将所述叠层导电膜图案化而形成导电元件的导电元件形成工序,其特征在于:所述导电元件形成工序包括:为了使所述第二金属导电膜的剖面形状形成为朝着所述基板上方比所述第一金属导电膜窄的锥形形状,利用不同的蚀刻液至少进行二次蚀刻处理的蚀刻工序,所述蚀刻工序包括:同时蚀刻所述第一金属导电膜及所述第二金属导电膜的第一蚀刻工序,和仅蚀刻所述第二金属导电膜的第二蚀刻工序,所述第二金属导电膜是非晶质透明导电膜。 |
地址 |
日本大阪府 |