| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，制造方法相对简便并可以最大化产率。该半导体器件可以包含下述的至少其中之一：第一衬底，其包含电容单元；第二衬底，其具有晶体管及引线；以及连接电极，其电连接该电容单元与该电路单元。 | ||
| 申请公布号 | CN101131995A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200710142788.X | 申请日期 | 2007.08.23 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 韩载元 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种装置，该装置包含：第一衬底，其包含电容单元；第二衬底，其包含电路单元，其中该电路单元包含至少一个晶体管及至少一条引线；以及连接电极，其电连接该电容单元与该电路单元。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||