| 发明名称 | CMOS图像传感器的制造 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括在器件隔离区域和像素区域之间边界区域上形成氮化物层，在像素区域中形成硅化物阻挡层并进行硅化物处理。当以湿法蚀刻工艺移除硅化物阻挡层时，可防止形成在像素区域中的硅化物阻挡层的边界部分被湿法蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN101132017A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200710142624.7 | 申请日期 | 2007.08.20 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金唇翰 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 夏凯;钟强 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：半导体衬底，其包括像素区域以及与像素区域相邻的器件隔离区域；形成在所述半导体衬底上的多晶线条；在所述半导体衬底的所述像素区域中的第一类型光电二极管；在所述第一类型光电二极管上的第二类型光电二极管；在所述多晶线条的侧壁上的第一氮化物层；在所述像素区域和所述器件隔离区域之间的边界上的第二氮化物层；以及在所述器件隔离区域中的硅化物层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||