发明名称 | 垂直薄膜晶体管的制造方法 | ||
摘要 | 一种垂直薄膜晶体管的制作方法,利用挡板光掩模来制作垂直结构元件。此方法包括下列步骤。首先,形成金属层作为凸肋与栅极层。然后,将挡板光掩模设置于栅极层上。之后,直接以挡板光掩模为掩模,形成源极层、有机半导体层与漏极层,如此可以简化工艺。因为在形成有机半导体层后,没有使用到光刻蚀刻技术,所以可以避免有机半导体层受到损害,使垂直薄膜晶体管具有良好的元件特性。 | ||
申请公布号 | CN101131934A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
申请号 | CN200610121470.9 | 申请日期 | 2006.08.24 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 王怡凯;林宗贤;胡堂祥;沈裕渊 |
分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
主权项 | 1.一种垂直薄膜晶体管的制造方法,包括:提供基底,前述基底上已形成有图案化的栅极层;于前述栅极层上设置挡板光掩模,前述挡板光掩模具有开口暴露出前述栅极层一侧的部分前述基底;以前述挡板光掩模为掩模,于前述开口所暴露的前述基底上依序形成第一源极/漏极层、半导体层与第二源极/漏极层;移除前述挡板光掩模;以及于由前述第一源极/漏极层、前述半导体层与前述第二源极/漏极层构成的堆栈层与前述栅极层之间形成栅介电层。 | ||
地址 | 中国台湾新竹县 |