发明名称 |
通信用半导体激光器、其制造方法及光发送模块 |
摘要 |
在半导体激光器中有时会存在初期故障方式,这种初期故障方式几乎不依赖于温度,内部的光能量即从外部观测的光输出量越大,该故障进行越厉害。光输出量越大越进行的初期故障方式的筛选是不充分的,其初期故障率比具有以往的活性层材料的半导体激光器元件要高。在制造过程中,采用在室温等比平均工作温度低的温度下的大的光输出的试验是有效的。这样,排除了具有光输出量越大越进行的初期故障方式的元件,延长了预期寿命。 |
申请公布号 |
CN101132112A |
申请公布日期 |
2008.02.27 |
申请号 |
CN200710139808.8 |
申请日期 |
2007.08.01 |
申请人 |
日本光进株式会社 |
发明人 |
神山博幸;向久保优;井上宏明;北原知之 |
分类号 |
H01S5/00(2006.01);H01S5/30(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01);H04B10/04(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/00(2006.01) |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 |
代理人 |
葛松生 |
主权项 |
1.通信用半导体激光器的制造方法,其特征在于,该方法包含使用初期光输出15mW以上的光输出、工作电流一定或者光输出15mW以上的光输出一定的筛选过程。 |
地址 |
日本神奈川县 |