| 发明名称 | 利用互补金属氧化物半导体技术的天线系统 | ||
| 摘要 | 描述了装置、系统和方法，用于互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路器件，该器件具有包括辐射单元的第一金属层；以及包括与所述辐射单元耦合的第一导体的第二金属层。所述第一导体和所述辐射单元互相耦合，形成以无线方式传递信号的天线。 | ||
| 申请公布号 | CN101133516A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200680006479.3 | 申请日期 | 2006.03.30 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | K·廷斯利;S－Y·徐 |
| 分类号 | H01Q21/00(2006.01);H01Q9/04(2006.01);H01Q23/00(2006.01) | 主分类号 | H01Q21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1.一种装置，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路器件，该器件具有包括辐射单元的第一金属层；以及包括与所述辐射单元耦合的第一导体的第二金属层；其中所述第一导体和所述辐射单元互相耦合，形成以无线方式传递信号的天线。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||