| 发明名称 | 晶圆清洗设备及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关一种晶圆清洗设备及其方法。该清洗设备包括：槽体、基台、至少一第一侧壁、上盖及排气装置。基台位于槽体之中；第一侧壁设于槽体中，并围绕基台；上盖设于槽体中，并位于基台上，可操作用以在基台和第一侧壁间区隔出第一空间；排气装置联通位于基台和第一侧壁间第一空间。该清洗晶圆方法包括：将放有晶圆的基台置于密闭容器中，密闭容器位于反应槽中；藉第一喷嘴将第一化学品喷洒在基材表面；及藉由第二喷嘴将第二化学品喷洒在基材表面，以避免在第一、第二喷嘴中形成由第一、第二化学品因化学反应所生成的产物。本发明在清洗槽与清洗台间设有密闭空间，可防止晶圆清洗制程中液态硫酸铵残留结晶，而造成晶圆上集成电路短路或产生开口，非常适于实用。 | ||
| 申请公布号 | CN101131925A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200710088297.1 | 申请日期 | 2007.03.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄琮民;魏正泉;江明晁 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/00(2006.01);B08B3/08(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种晶圆清洗设备，其特征在于其包括：一槽体；一基台，位于该槽体之中；至少一第一侧壁，设置于该槽体之中，并围绕该基台；一上盖，设置于该槽体之中，并位于该基台之上，可操作用以在该基台和该第一侧壁之间，区隔出一第一空间；以及一排气装置，联通位于该基台和该第一侧壁之间的该第一空间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||