高压组件的静电放电保护装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种高压组件的静电放电保护装置及其制造方法，其主要是在半导体基底中，在N型井中配置有一N型扩散防护环，在P型井中配置有一P型扩散防护环，再在N型井与半导体基底之间形成一N型埋入式扩散区，以作为半导体基底防护环；这样可避免在正常的操作电压下，高压组件的静电放电保护装置发生锁存效应，进而解决先前技术在正常的操作下易发生锁存现象的技术问题。

主权项

1.一种高压组件的静电放电保护装置，其特征在于包括：一半导体基底，其上设有复数隔离组件；一N型井及一P型井，分别形成于所述半导体基底内且相邻；一N型漂移区域及一P型漂移区域，分别位于所述P型井及所述N型井内；一N型埋入式掺杂区，位于所述N型井内底部与所述半导体基底交接处；二多晶硅栅极结构，分别位于所述N型井与P型井上方的所述半导体基底表面；一N型源/漏极区域及一P型源/漏极区域，分别位于所述P型井与所述N型井内，使所述N型源/漏极区域各位于所述P型井上的所述多晶硅栅极结构二侧，且所述P型源/漏极区域各位于所述N型井上的所述多晶硅栅极结构二侧；一N型扩散防护环，设于所述N型井内且与所述P型源/漏极区域相邻；以及一P型扩散防护环，设于所述P型井内且与所述N型源/漏极区域相邻。