| 发明名称 | 液晶显示器的TFT阵列基板、液晶显示面板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种液晶显示器的薄膜晶体管TFT阵列基板，包括一基板；一栅极位于基板上；一栅极介电层覆盖基板与门(栅)极；一半导体层位于栅极介电层上，且半导体层包括一沟道；一遮光层，位于所述半导体层中；一源极电连接沟道一侧的部分半导体层；一漏极电连接沟道另一侧的部分半导体层，且漏极在正投影面不和栅极重叠。本发明所提供的TFT结构具有较小的耦合电容(Cgd)，可改善公知技术的馈通效应(feed through effect)问题；此外，通过遮光层可减少此种结构的因光照所产生漏电的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN100371816C | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200510056846.8 | 申请日期 | 2005.03.22 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 邱俊昌;徐文义 |
| 分类号 | G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G02F1/136(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 1.一种液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于包括：一基板；一栅极，位于该基板上；一栅极介电层，覆盖所述基板及所述栅极；一半导体层，位于所述栅极介电层上，该半导体层包括一沟道；一遮光层，位于所述半导体层中；一源极，电连接所述沟道一侧的部分半导体层；及一漏极，电连接所述沟道另一侧的部分半导体层，且该漏极在正投影面不和所述栅极重叠。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||