发明名称 |
浮法硅晶片的制作工艺和设备 |
摘要 |
一种浮法硅晶片的制作工艺,采取融熔、结晶成型、打磨切割连续工艺制取。将硅原料通过加料装置(1)加入到坩锅(2)中,坩锅内的温度设在高于硅熔点1421℃以上,固态的硅原料在1421℃以上熔化成液态硅,液态硅上方经加料口连续排除氩气或其他惰性气体,结晶区料槽(4)与坩锅排液口(3)相连通,槽内充满液态的锡金属或其他熔点低于硅熔点的合金为载体,靠近出料口温度高于硅的熔点1421℃,另一端的温度介于1421℃到400℃,当液态硅移至浮法成型区末端(4)时,液态硅会凝固成固态,结晶区上层相对靠近坩锅排液口(3)设置挡板(5)调节控制晶片的厚度,成型结晶硅片经冷却段(6)冷却、打磨抛光段(7)后,根据需要在切割晶片区(8)切割晶片。适用于浮法制取太阳能电池和半导体硅晶片。 |
申请公布号 |
CN101133194A |
申请公布日期 |
2008.02.27 |
申请号 |
CN200680001905.4 |
申请日期 |
2006.02.16 |
申请人 |
靳永钢 |
发明人 |
靳永钢 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01);C30B35/00(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01) |
代理机构 |
山西太原科卫专利事务所 |
代理人 |
温彪飞 |
主权项 |
1.一种浮法硅晶片的制作工艺,其特征是采取融熔、结晶成型、打磨切割连续工艺制取:A:融熔硅原料,将硅原料通过加料装置(1)加入到坩锅(2)中,坩锅内的温度设在高于硅熔点1421℃以上,固态的硅原料在1421℃以上熔化成液态硅,液态硅上方经加料口连续排除氩气或其他惰性气体;B:结晶成型,结晶区料槽(4)与坩锅排液口(3)相连通,槽内充满液态的锡金属或其他熔点低于硅熔点的合金为载体,靠近出料口温度高于硅的熔点1421℃,另一端的温度介于1421℃到400℃,当液态硅移至浮法成型区末端(4)时,液态硅会凝固成固态,结晶区相应硅表面上层相对靠近坩锅排液口(3)设置的挡板(5)调节控制晶片的厚度;C:成型结晶硅片经冷却段(6)冷却、打磨抛光段(7)后,根据需要在切割晶片区(8)切割晶片。 |
地址 |
030006山西省太原市南外环街国际大都会北际花园E2楼B单元301室 |