发明名称 漏电保护器用抗直流偏磁互感器磁芯及其制造方法
摘要 本发明公开了一种漏电保护器用电流互感器磁芯及其制造方法,该磁芯采用铁基纳米晶合金,包括如下步骤:母合金冶炼、制带、卷绕和退火,所述的铁基纳米晶合金的成分为(重量百分比): Fe 80%~85%, Si 7%~9%, B 1.5%~2.5%, Cu 1%~2%,M 4%~9%,M’0.01%~0.05%,其中,M为 V , Cr , Mo , Nb , W , Ta , Mn 中的一种或几种,M’为 Al 、 Ti 的至少一种;所述的退火步骤为如下的应力退火:将纳米晶带材在金属芯子上卷绕成所需磁芯,然后将带金属芯子的磁芯在510~580℃下退火预定的时间。本发明得到的磁芯具有优良的磁特性,尤其是在保持高磁导率的前提下具有更低的剩磁比和在正弦波、半波脉动及全波脉动条件下更高的磁感应强度增量。
申请公布号 CN100372033C 申请公布日期 2008.02.27
申请号 CN200510077417.9 申请日期 2005.06.23
申请人 安泰科技股份有限公司 发明人 丁力栋;刘宗滨;刘国栋;罗福林;安卫亚
分类号 H01F27/24(2006.01);H01F1/00(2006.01);H02H3/14(2006.01) 主分类号 H01F27/24(2006.01)
代理机构 北京中安信知识产权代理事务所 代理人 张小娟
主权项 1.一种漏电保护器用抗直流偏磁互感器磁芯,该磁芯采用铁基纳米晶合金,其特征在于:所述铁基纳米晶合金的重量百分比成分为:Fe 80%~85%,Si 7%~9%,B 1.5%~2.5%,Cu 1%~2%,M 4%~9%,M’0.0 1%~0.05%,其中,M为V,Cr,Mo,Nb,W,Ta,Mn中的一种或几种,M’为Al、Ti的至少一种;其中,铁基纳米晶合金磁芯具有如下磁特性:剩磁比Br/Bs在0.002~0.1之间;在10A/m磁场峰值下的正弦波磁感应强度增量^B大于1.2T,半波脉动条件下的磁感应强度增量ΔBstat大于0.9T,全波脉动条件下的磁感应强度增量ΔBdyn大于0.8T。
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