发明名称 |
漏电保护器用抗直流偏磁互感器磁芯及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种漏电保护器用电流互感器磁芯及其制造方法,该磁芯采用铁基纳米晶合金,包括如下步骤:母合金冶炼、制带、卷绕和退火,所述的铁基纳米晶合金的成分为(重量百分比): Fe 80%~85%, Si 7%~9%, B 1.5%~2.5%, Cu 1%~2%,M 4%~9%,M’0.01%~0.05%,其中,M为 V , Cr , Mo , Nb , W , Ta , Mn 中的一种或几种,M’为 Al 、 Ti 的至少一种;所述的退火步骤为如下的应力退火:将纳米晶带材在金属芯子上卷绕成所需磁芯,然后将带金属芯子的磁芯在510~580℃下退火预定的时间。本发明得到的磁芯具有优良的磁特性,尤其是在保持高磁导率的前提下具有更低的剩磁比和在正弦波、半波脉动及全波脉动条件下更高的磁感应强度增量。 |
申请公布号 |
CN100372033C |
申请公布日期 |
2008.02.27 |
申请号 |
CN200510077417.9 |
申请日期 |
2005.06.23 |
申请人 |
安泰科技股份有限公司 |
发明人 |
丁力栋;刘宗滨;刘国栋;罗福林;安卫亚 |
分类号 |
H01F27/24(2006.01);H01F1/00(2006.01);H02H3/14(2006.01) |
主分类号 |
H01F27/24(2006.01) |
代理机构 |
北京中安信知识产权代理事务所 |
代理人 |
张小娟 |
主权项 |
1.一种漏电保护器用抗直流偏磁互感器磁芯,该磁芯采用铁基纳米晶合金,其特征在于:所述铁基纳米晶合金的重量百分比成分为:Fe 80%~85%,Si 7%~9%,B 1.5%~2.5%,Cu 1%~2%,M 4%~9%,M’0.0 1%~0.05%,其中,M为V,Cr,Mo,Nb,W,Ta,Mn中的一种或几种,M’为Al、Ti的至少一种;其中,铁基纳米晶合金磁芯具有如下磁特性:剩磁比Br/Bs在0.002~0.1之间;在10A/m磁场峰值下的正弦波磁感应强度增量^B大于1.2T,半波脉动条件下的磁感应强度增量ΔBstat大于0.9T,全波脉动条件下的磁感应强度增量ΔBdyn大于0.8T。 |
地址 |
100081北京市海淀区学院南路76号 |