发明名称 晶体等径生长的控制系统及其方法
摘要 本发明涉及一种晶体等径生长的控制系统及其方法。该系统具有晶体生长炉、晶体直径检测部分和埚温控制部分;采集晶体实时拉升速度信号并反馈调整晶体拉升速度的晶体拉升速度控制部分;还有一个共用控制器;所述控制器分别接收来自所述晶体直径检测部分、所述晶体拉升速度控制部分以及所述埚温控制部分各自的检测信号,所述控制器应用Fuzzy控制与PID控制结合的算法计算出晶体拉升调速信号反馈给所述晶体拉升速度控制部分对晶体拉省速度进行调整,以及计算出加热功率调节信号反馈给所述埚温控制部分对熔体的温度进行调整。系统达到优良的控制品质,大大提高晶体等径生长阶段的直径控制精度,稳定提高大直径硅单晶棒一次拉制的成品率。
申请公布号 CN100371507C 申请公布日期 2008.02.27
申请号 CN200510059325.8 申请日期 2005.03.28
申请人 荀建华 发明人 荀建华
分类号 C30B15/22(2006.01) 主分类号 C30B15/22(2006.01)
代理机构 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 代理人 翁坚刚
主权项 1.一种晶体等径生长的控制系统,具有晶体生长炉;检测炉内晶体生长过程中晶体直径变化信号的晶体直径检测部分;采集炉内熔体温度信号及加热器的加热电压电流信号并反馈控制炉内熔体温度的埚温控制部分;采集晶体实时拉升速度信号并反馈调整晶体拉升速度的晶体拉升速度控制部分;还具有一个控制器(7);所述控制器(7)分别接收来自所述晶体直径检测部分、所述晶体拉升速度控制部分以及所述埚温控制部分各自的检测信号,所述控制器(7)应用Fuzzy控制与PID控制结合的算法计算出晶体拉升调速信号反馈给所述晶体拉升速度控制部分对晶体拉省速度进行调整,以及计算出加热功率调节信号反馈给所述埚温控制部分对熔体的温度进行调整;其特征在于:所述埚温控制部分包括埚温检测电路(3)、加热电压电流检测电路(4)及加热功率调节电路(6);所述埚温检测电路(3)的埚温检测信号的输出端与所述控制器(7)的埚温检测信号输入端电连接;所述加热电压电流检测电路(4)的加热电压电流检测信号输出端与所述控制器(7)的加热电压电流检测信号输入端电连接;所述控制器(7)的加热功率调节输出端与所述加热功率调节电路(6)的加热功率调节输入端电连接。
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