半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法，蚀刻液配方：稳定剂25－50，氢氟酸0.2－2，缓冲剂1－10，硝酸2－10，非离子表面活性剂0.0001－0.001，去离子水适量。工艺步骤：一、按配比把缓冲剂加入氢氟酸中，搅拌30分钟，得到混合物I，二、按配比把稳定剂加入硝酸中，搅拌40分钟，得到混合物II，三、把步骤一和步骤二得到的混合物I和II与适量的去离子水混合起来，搅拌30分钟，静止10分钟后再加入非离子表面活性剂，搅拌均匀。本发明制备的蚀刻液通过缓冲剂加入氢氟酸来控制它的腐强度；通过稳定剂加入硝酸中来控制硝酸的蚀刻稳定性；通过加入非离子表面活性剂来降低蚀刻剂的表面涨力，提高蚀刻剂的浸润效果，这样大大提高了产品的稳定性、蚀刻的平滑度和精度，提高了成品率。

主权项

1.一种半导体用氟表面蚀刻液，其特征在于它主要由以下重量份的原料组成：稳定剂 25-50氢氟酸 0.2-2缓冲剂 1-10硝酸 2-10非离子表面活性剂 0.0001-0.001去离子水 适量所述稳定剂为冰醋酸或盐酸，所述缓冲剂为氟化铵溶液，浓度为40重量％，所述硝酸的浓度为70重量％，所述非离子表面活性剂为FS-300、FSN或异丙醇。