| 发明名称 | 改善FSG填隙性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善FSG填隙性的方法，该方法包括：在淀积时，气体的流量为：45sccm＜Ar＜85sccm，95sccm＜O<SUB>2</SUB>＜150sccm，35sccm＜SiH<SUB>4</SUB>＜55sccm，20sccm＜SiF<SUB>4</SUB>＜35sccm；压力小于3.5mTorr，淀积速率大于3200/min。本发明的改善FSG填隙性的方法使FSG可以满足深宽比达到3.8的填隙要求，且金属线边角无明显过刻蚀，实现了无隙填充。 | ||
| 申请公布号 | CN101131930A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200610030306.7 | 申请日期 | 2006.08.23 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 秦文芳;谢烜 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种改善FSG填隙性的方法，其特征在于，包括如下步骤：在淀积时，气体的流量为：45sccm＜Ar＜85sccm，95sccm＜O2＜150sccm，35sccm＜SiH4＜55sccm，20sccm＜SiF4＜35sccm；压力小于3.5mTorr，淀积速率大于3200/min。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||