| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一个形态的半导体器件，具备：在支持衬底的主面上隔着绝缘膜形成的半导体膜内，具有隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极膜，和形成为在栅极长度方向上夹持上述栅极电极膜的源区及漏区的绝缘栅场效应晶体管；在贯通上述半导体膜和上述绝缘膜而达到上述支持衬底的第1开口部分内，具有隔着硅氧化膜形成的多晶硅膜的支持衬底接触部分；在上述半导体膜和上述支持衬底接触部分上形成的层间绝缘膜；通过填充到贯通上述层间绝缘膜而达到上述支持衬底接触部分的第2开口部分内的导电材料连接到上述多晶硅膜的布线。 | ||
| 申请公布号 | CN101132010A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200710146589.6 | 申请日期 | 2007.08.22 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 森门六月生 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，具备：在支持衬底的主面上隔着绝缘膜形成的半导体膜内，具有隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极膜、和形成为在栅极长度方向上夹持上述栅极电极膜的源区及漏区的绝缘栅场效应晶体管；在贯通上述半导体膜和上述绝缘膜而达到上述支持衬底的第1开口部分，具有隔着硅氧化膜形成的多晶硅膜的支持衬底接触部分；在上述半导体膜和上述支持衬底接触部分上形成的层间绝缘膜；通过填充到贯通上述层间绝缘膜而达到上述支持衬底接触部分的第2开口部分内的导电材料连接到上述多晶硅膜的布线。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||