| 发明名称 | 用于制作半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制作半导体装置的方法，该方法超精细地形成深孔接触而不产生开口畸变以及接触孔内的扭曲。用于制作半导体装置的该方法包括步骤：(a)通过使用包含Xe气体的第一刻蚀气体的干法刻蚀，在包含氧化硅的绝缘层3的上部内形成接触孔6，以及(b)通过使用不包含Xe气体的第二刻蚀气体的干法刻蚀，加深绝缘层3内的接触孔7。优选地该第一刻蚀气体包含通过使用Xe气体或者Xe气体及Ar气体的混合气体来稀释刻蚀气体而得到的气体。优选地该第二刻蚀气体包括通过使用Ar气体来稀释刻蚀气体而得到的气体。优选地该刻蚀气体包括碳氟化合物气体和O<SUB>2</SUB>气体的混合气体。 | ||
| 申请公布号 | CN101131918A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200710141728.6 | 申请日期 | 2007.08.21 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 池田武信 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种用于制作半导体装置的方法，包括步骤：(a)通过使用包含Xe气体的第一刻蚀气体的干法刻蚀，在包含氧化硅的绝缘层的上部内形成接触孔，以及(b)通过使用不包含Xe气体的第二刻蚀气体的干法刻蚀，加深所述绝缘层内的所述接触孔。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||