| 发明名称 |
一种高耐压碳化硅光导开关 |
| 摘要 |
本发明涉及一种高耐压碳化硅光导开关，属于半导体器件制备技术领域。光导开关采用相对面型设计，在经处理后的碳化硅抛光片的两面制作欧姆接触，形成两个电极。这种相对面型碳化硅光导开关可以成倍地提高开关的耐压能力，使光导开关的体积得以缩小，为光导开关的集成化创造条件，可用于半导体器件领域。 |
| 申请公布号 |
CN101132030A |
申请公布日期 |
2008.02.27 |
| 申请号 |
CN200710045225.9 |
申请日期 |
2007.08.24 |
| 申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 |
| 分类号 |
H01L31/101(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/036(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/101(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种高耐压碳化硅光导开关，包括半绝缘碳化硅晶片和相对面型欧姆接触电极，其特征在于：所述的欧姆接触电极为合金电极；半绝缘碳化硅晶片的使用面为{0001}晶面、<img file="A2007100452250002C1.GIF" wi="189" he="67" />晶面和<img file="A2007100452250002C2.GIF" wi="189" he="67" />晶面，使用面也可与上述晶片取向有0～8°的偏离；欧姆接触电极面积占所在的碳化硅单晶面面积的5％-20％，欧姆接触电极与其所在的碳化硅单晶面边缘不接触。相对面的欧姆接触电极投影面不重叠，两电极在投影面上的最短距离为1～3mm。 |
| 地址 |
200050上海市定西路1295号 |
