| 发明名称 | 被处理体的处理方法及处理装置 | ||
| 摘要 | 热处理装置(1)具有：具有升温用加热器(12)的、容放附着有有机物的晶片(10)的反应管(2)；向反应管(2)内供给氧气的第1气体导入管(13)；供给氢气的第2气体导入管(14)。分别通过第1气体导入管(13)和第2气体导入管(14)向反应管(2)内供给氧气和氢气，通过升温用加热器(12)将反应管(2)加热到可使氧气和氢气活化的温度。于是，在反应管(2)内发生燃烧反应，使附着在晶片(10)上的有机物氧化、分解，从而将其除去。 | ||
| 申请公布号 | CN100372076C | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN01822329.X | 申请日期 | 2001.12.04 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 菱屋晋吾;古泽纯和;梅泽好太;林輝幸;齐藤美佐子;佐藤昌一 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏;杨松龄 |
| 主权项 | 1.一种被处理体的处理方法，其特征是，包括：将附着有有机物的被处理体放入反应室的工序；以及，将所述反应室加热到既定温度并供给处理气体从而将所述有机物从所述被处理体上除去的工序；所述处理方法以不会使得供给到所述反应室的处理气体在所述反应室内等离子化的方式来实施；所述处理气体含有氧化性气体和还原性气体，在将所述反应室减压到压力为133Pa～399Pa的状态下通过将所述反应室的温度加热到可使所述氧化性气体和所述还原性气体活化的至少350℃，使得所述氧化性气体和还原性气体发生反应而产生活性氧和活性羟基，通过这些活性物从所述被处理体中除去所述有机物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||