| 发明名称 | 晶粒取向陶瓷及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种能发挥优异压电特性的晶粒取向陶瓷、其制造方法和一种各自使用晶粒取向陶瓷的压电材料、介电材料、热电转化元件和离子传导元件，这里提供的晶粒取向陶瓷包含，以式(1)： {Li<SUB>x</SUB>(K<SUB>1-y</SUB>Na<SUB>y</SUB>)<SUB>1-x</SUB>}(Nb<SUB>1-z-w</SUB>Ta<SUB>z</SUB>Sb<SUB>w</SUB>)O<SUB>3</SUB> ，其中x，y，z和w的各自组分范围为0≤x≤0.2、0≤y≤1、0≤z≤0.4、0≤w≤0.2且x+z+w＞0所代表的各向同性钙钛矿型化合物作为主相。该主相包括一个多晶体，其对于每1摩尔式(1)所代表的化合物中含有0.0001-0.15摩尔的任意一种或多种选自属于元素周期表中第2到15族的金属元素、半金属元素、过渡金属元素、贵金属元素和碱土金属元素的附加元素。构成该多晶体的各晶粒的特别晶面是取向的。 | ||
| 申请公布号 | CN100371298C | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200510098054.7 | 申请日期 | 2005.06.17 |
| 申请人 | 株式会社电装;株式会社丰田中央研究所 | 发明人 | 高尾尚史;本间隆彦;斋藤康善;鹰取一雅;野野山龙彦;长屋年厚;中村雅也 |
| 分类号 | C04B35/495(2006.01) | 主分类号 | C04B35/495(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;庞立志 |
| 主权项 | 1.一种晶粒取向陶瓷，包括作为主相的式(1)：{Lix(K1-yNay)1-x}(Nb1-z-w TazSbw)O3(其中x，y，z和w各自的组成范围为0≤x≤0.2、0≤y≤1、0≤z≤0.4、0≤w≤0.2且x+z+w＞0)所代表的各向同性钙钛矿型化合物，其中所述主相包括多晶体，其对于每1摩尔式(1)所代表的化合物含有0.0001-0.15摩尔的任意一种或多种选自属于元素周期表中第2到15族的金属元素、半金属元素、过渡金属元素、贵金属元素和碱土金属元素的附加元素，且构成该多晶体的各晶粒的特定晶面是取向的。 | ||
| 地址 | 日本爱知县刈谷市 | ||