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发明名称 METHOD OF MANUFACTURING CMOS DEVICES BY THE IMPLANTATION OF N- AND P-TYPE CLUSTER IONS AND NEGATIVE IONS
摘要
申请公布号 EP1535324(A4) 申请公布日期 2008.02.27
申请号 EP20030761919 申请日期 2003.06.06
申请人 发明人
分类号 H01J37/317;H01L21/8238;H01J37/08;H01L21/265;H01L21/425;H01L27/092 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人
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