局部硅氧化隔离制造工艺方法

摘要

本发明公开了一种局部硅氧化隔离制造工艺方法，在现有的方法中去除残余光刻胶之前，增加一次预先非晶态注入，也就是将要生长二氧化硅层区域的硅基板区域的晶态硅通过PAI打成非晶态，然后再按照现有的工艺步骤形成LOCOS结构。本发明能够缓解局部硅氧化隔离制程中出现鸟嘴的问题，尽量减小所占用的模块面积，减小制程中的热过程。

主权项

1.一种局部硅氧化隔离制造工艺方法，包括如下步骤：在硅基板上垫积上一层二氧化硅层，接着在该二氧化硅层上再垫积上一层氮化硅层；通过一次光刻，把需要生长LOCOS的区域打开；用刻蚀工艺依次把光刻打开处的氮化硅层和二氧化硅层刻掉；其特征在于中：接着，在光刻胶开口区域进行一次非晶态注入；然后，再去残余光刻胶；利用热氧生长法通过硅和氧气的反应生长出一层二氧化硅层；最后将硅基板上其余区域的氮化硅层和二氧化硅层依次刻掉，形成LOCOS结构。