| 发明名称 | 侧射型发光二极管的封装结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种侧射型发光二极管的封装结构。此侧射型发光二极管封装结构包含基座、二电极、发光二极管芯片以及封装材料。其中，基座具有一凹陷部。二电极系设置于凹陷部的底面。发光二极管芯片是设置于凹陷部的底面并与二电极电性连接。其中，发光二极管芯片之基板的厚度为大于140微米以上。上述封装材料是填入凹陷部内，以封装发光二极管芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN101132036A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200610111573.7 | 申请日期 | 2006.08.23 |
| 申请人 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发明人 | 林治民;庄世任;叶寅夫 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1.一种侧射型发光二极管封装结构，其特征在于，其包含：一基座，具有一凹陷部；二电极，设置于该凹陷部之底部中；一发光二极管芯片，设置于该凹陷部之底部上并与该些电极二电极电性连接，该发光二极管芯片之一基板的厚度系大于140微米以上；以及一封装材料，填入该凹陷部内，以封装该发光二极管芯片。 | ||
| 地址 | 中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号 | ||