液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法

摘要

本发明涉及一种液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法。它是使用含锗元素的盐酸溶液涂抹在硅单晶的表面，烘干后装到区熔炉上，按通常的区熔工艺进行区熔熔炼或生长单晶。本发明是理想的掺锗方法，不但使锗掺得进去，而且锗在硅中的浓度均匀可控，掺锗工艺无沾污，保证了硅单晶的质量。

主权项

1.一种液体涂抹法区熔硅单晶的掺锗方法，其特征在于它包括下述步骤：1)选用三氧化二锗，使用盐酸将三氧化二锗溶解为饱和溶液，并且用无水乙醇将锗元素的饱和溶液稀释成满足在硅中掺入不同锗浓度需要的锗的盐酸溶液；2)将需要掺锗的硅棒进行通常的酸腐蚀及纯水清洗处理，并烘干，放置在操作箱里；3)按掺锗计量体积将上述锗溶液均匀涂抹在硅棒表面上；4)将涂抹后硅棒在红外灯下烘干后装到区熔炉上，进行区熔熔炼或生长单晶。