等离子体处理装置以及气体通过板

摘要

本发明涉及一种在处理容器内生成处理气体的等离子体，对基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，该等离子体处理装置具有设置于处理容器内的等离子体生成部和基座(2)之间的气体通过板(60)。该气体通过板(60)的贯通孔形成区域(61)包含与基座(2)上的基板(W)相对应的区域以及其外部区域，贯通孔形成区域(61)具有：与基板(W)的部分相对应的第一区域(61a)；配置在第一区域(61a)外周的第二区域(61b)；和配置在第二区域(61b)外周的包含基板(W)的外部区域的第三区域(61c)，并且第一区域(61a)的贯通孔(62a)的直径最小，第三区域(61c)的贯通孔(62c)的直径最大。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：用于处理被处理基板的能够进行真空排气的处理容器；向所述处理容器内导入处理气体的处理气体导入机构；在所述处理容器内生成所述处理气体的等离子体的等离子体生成机构；在所述处理容器内支撑被处理基板的基板支撑台；和设置于所述处理容器内的等离子体生成部和所述基板支撑台之间的、具有用于使等离子体化后的气体通过的多个贯通孔的气体通过板，其中，所述气体通过板被设置为，使形成有所述贯通孔的贯通孔形成区域包括与被所述基板支撑台支撑的基板相对应的区域，并且扩张到其外部区域，所述贯通孔形成区域包括贯通孔的直径各不相同的三个区域：与被处理基板的中央部分相对应的第一区域；以与被处理基板的外侧部分对应的方式配置在所述第一区域的外周的第二区域；和配置在所述第二区域的外周并包括基板的外部区域的第三区域，所述多个贯通孔，以使所述第一区域的贯通孔的直径最小、使所述第三区域的贯通孔的直径最大的方式形成。