发明名称 |
光敏电阻及其制备方法 |
摘要 |
本发明为光敏电阻技术领域提供一种新型光敏电阻及其制备方法,其主要特征是具有 Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 陶瓷基座和 Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 陶瓷基片,在 Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 陶瓷基片上喷涂有 CdS 和 CdSe ,形成光敏膜层,制成光敏电阻芯片;在 Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 陶瓷基座上设有空槽,光敏电阻芯片镶嵌在 Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 陶瓷基座上的空槽内,真空镀膜形成电极,用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。由于本发明采取了上述技术方案,通过本发明制备的光敏电阻不仅大量节约原材料 CdS 和 CdSe ,降低产品成本,而且方法简单,可操作性强,新制成的产品具有稳定性好,一致性好,环保可靠等特点,完全符合欧盟ROHS标准对产品中 Cd 含量的要求。 |
申请公布号 |
CN100372130C |
申请公布日期 |
2008.02.27 |
申请号 |
CN200510048590.6 |
申请日期 |
2005.11.12 |
申请人 |
南阳利达光电有限公司电子公司 |
发明人 |
丁镇赓;邢志平 |
分类号 |
H01L31/08(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/08(2006.01) |
代理机构 |
南阳市智博维创专利事务所 |
代理人 |
王帆 |
主权项 |
1.光敏电阻,其特征在于具有Al2O3陶瓷基座和Al2O3陶瓷基片,在陶瓷基座上设有两个孔,在Al2O3陶瓷基片上涂附有CdS和CdSe混合物,所述CdS和CdSe混合物是将CdS和CdSe按重量比90∶10-60∶40制定的混合溶液;高温烧结形成光敏膜层,制成光敏电阻芯片;在Al2O3陶瓷基座上设有空槽,光敏电阻芯片镶嵌在Al2O3陶瓷基座上的空槽内,真空镀膜Sn形成电极,用导电银浆对芯片和基座及引线进行连接。 |
地址 |
473000河南省南阳市工业路508号 |